產(chǎn)品資料
日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
產(chǎn)品名稱: 日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品特點: 日本thermocera高溫階段“基板加熱"1800℃加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向濺射等各種功能都包含在該單元中。各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素燈和其他10種類型
日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃ 的詳細介紹
日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置
可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向濺射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素燈和其他10種類型
總覽基板加熱階段需要加熱階段，例如垂直提升機構(gòu)（基板支架和加熱頭中的一個或兩個），基板旋轉(zhuǎn)，RF / DC基板偏壓（反向飛濺RF / DC清潔）和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對半導體制造設(shè)備和各種真空設(shè)備（氣相沉積設(shè)備，濺射，CVD設(shè)備）的所有要求。 | ||
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2寸熱舞臺_800C
晶圓托盤_提起應用/用例?半導體制造，薄膜的實驗設(shè)備，RF / DC反濺射，PECVD，RIE等 |
加熱部位規(guī)格?NiCr加熱器 | ||
各部分名稱
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日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
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